2015年全球非易失性存储器（NVM）新兴技术与市场趋势报告

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2015年全球非易失性存储器（NVM）新兴技术与市场趋势报告

文章来源：更新时间：2015/6/8 13:10:00

日前宣布加入的“新兴非易失性存储器（NVM）技术与市场趋势报告”报告他们的产品。

“新兴非易失性存储器（NVM）技术与市场趋势报告”

在过去的两年中，新兴的复杂非易失性存储器（NVM）的情况已经大大简化。

在2014年，美光，主相变存储器（PCM）启动的独立内存，停止积极推销PCM芯片以下销售目标萎缩的入门级手机市场的崩溃。与此同时，美光开发了一种电阻式随机存取存储器（RRAM或ReRAM的）芯片与索尼，其包括导电性桥的RAM（CBRAM）的技术类的一部分。

在16 GB的美光，索尼RRAM具有在新兴NVM技术商业化密度最高。因此，我们认为PCM现在退赛的独立内存。对于嵌入式微控制器单元（MCU）的应用程序2015年将是一个关键的一年，意法半导体在这个市场的主要PCM启动，将选择PCM是否将继续留在它的路线图。

因此新兴的NVM报告集中在两个最有前途的技术：RRAM和磁阻RAM（MRAM）。 MRAM的最有吸引力的类别是自旋转移矩磁阻RAM（STTMRAM），其提供更高的可扩展性/密度。一个主要的选择标准存储器是芯片的可扩展性/密度，因为这会影响性能和成本。该Yole报告提供了技术节点，芯片密度和定价方面准确记忆的路线图。

目标报告：

•介绍了半导体存储器市场的概况
•提供新兴的NVM应用的理解：
•介绍市场预测新兴NVM业务：
•描述新兴技术的NVM
•描述和分析竞争格局