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Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内首批通过AEC-Q101认证的采用双片不对称功率封装的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽车应用的高效同步降压转换器中节省空间和电能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N沟道TrenchFET®器件把高边和低边MOSFET组合进小尺寸5mm x 6mm PowerPAK® SO-8L双片不对称封装里，低边MOSFET的最大导通电阻低至3.3mΩ。
12V SQJ202EP和20V SQJ200EP把两颗MOSFET封装在一个不对称封装里，尺寸较大的低边MOSFET导通电阻较低，较小的高边MOSFET开关速度更快，可替换性能较低的标准双片器件，而标准器件会限制大电流、高频率的同步降压设计使用最优的MOSFET组合。相比于使用分立器件，这两颗器件占用的电路板空间更少，能实现更小尺寸的PCB设计。
今天发布的器件可在+175℃高温下工作，能够满足信息娱乐系统、车载信息服务、导航和LED照明等汽车应用对耐用性和可靠性的要求。SQJ202EP很适合总线电压£ 8V的应用，通道2的低边MOSFET的最大导通电阻只有3.3mΩ。20V SQJ200EP适合电压较高的应用，最大导通电阻为3.7mΩ，稍高一些。两颗器件都进行了100%的栅极电阻和雪崩测试，符合RoHS，无卤素。
器件规格表：
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产品编号
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SQJ202EP
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SQJ200EP
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通道
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1
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2
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1
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2
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VDS (V)
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12
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20
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RDS(ON) (W)
最大值
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@ VGS = 10 V
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0.0065
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0.0033
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0.0088
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0.0037
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@ VGS = 4.5 V
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0.0093
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0.0045
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0.0124
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0.0050
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Qg (nC)典型值
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@ VGS = 10 V
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14.5
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35.9
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12
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29
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ID(A)
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20
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60
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20
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60
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SQJ200EP和SQJ202EP现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周。
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