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新加入到产品阵容中的第二代串行接口NAND产品具有更高的性能和容量
全球存储器解决方案领导者东芝存储器公司(Toshiba Memory Corporation)今日宣布，该公司已推出其第二代NAND闪存产品系列，这些产品具有更高的性能和容量[1]，适用于嵌入式应用，可支持高速数据传输。新推出的串行接口NAND产品与广泛使用的串行外围设备接口(SPI)兼容，适用于各种消费、工业和通信应用。样品于即日起出货，计划从10月开始量产。
随着器件在物联网和通信应用中的体积逐渐缩小，对小型封装的大容量闪存的需求则日益增长，而小型封装能够以低引脚数量处理高速数据传输。由于与广泛使用的SPI兼容，这些串行接口NAND产品可以用作低引脚数、小型封装和大容量的SLC NAND闪存产品。
为了能够支持高速数据传输，新的第二代串行接口NAND产品提供高于现有第一代产品[1]的性能，包括133兆赫(MHz)的工作频率和程序x4模式。此外，该系列还增加了8Gb（1千兆字节）[2]器件，以满足对更大存储容量的需求。
新产品概况
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产品名称
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容量
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输入/输出
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电压
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封装
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量产时间
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TC58CVG0S3HRAIJ
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1Gb
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1倍、2倍、4倍
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3.3V
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8引脚
WSON[3]
(6mm x 8mm)
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2019年10月
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TC58CYG0S3HRAIJ
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1.8V
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2019年10月
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TC58CVG1S3HRAIJ
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2Gb
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3.3V
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2019年10月
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TC58CYG1S3HRAIJ
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1.8V
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2019年10月
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TC58CVG2S0HRAIJ
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4Gb
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3.3V
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2019年10月
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TC58CYG2S0HRAIJ
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1.8V
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2019年10月
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TH58CVG3S0HRAIJ
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8Gb
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3.3V
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2019年12月
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TH58CYG3S0HRAIJ
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1.8V
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2019年12月
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主要特点
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容量
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1Gb, 2Gb, 4Gb, 8Gb
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分页大小
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2KByte (1Gb, 2Gb)，4KByte (4Gb, 8Gb)
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接口
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串行外围设备接口,型号0，型号3
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供电电压
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2.7至3.6V，1.7至1.95V
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工作温度范围
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-40 oC至85 oC
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特性
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• 133MHz工作频率
• 程序 / 读取4种模式
• 高速顺序读取功能
• ECC功能（开/关，位翻转计数报告）
• 数据保护功能（能够保护特定的块）
• 参数页面功能（能够在器件上输出详细的信息）
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