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东芝面向车载应用推出采用紧凑型封装的100V N沟道功率MOSFET
文章来源:永阜康科技 更新时间:2019/12/26 9:32:00

中国上海,2019年12月25日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”-其漏极电流为70A,以及“XPH6R30ANB”-其漏极电流为45A。批量生产和出货计划于今天开始。

MOSFET产品图

新产品是东芝首款[1]采用紧凑型SOP Advance(WF)封装的车用100V N沟道功率MOSFET。封装采用可焊锡侧翼端子结构,安装在电路板上时能够进行自动目视检查,从而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低导通电阻有利于降低设备功耗;XPH4R10ANB拥有业界领先的[2]低导通电阻。

应用:

・汽车设备

电源装置(DC-DC转换器)和LED头灯等(电机驱动、开关稳压器和负载开关)

特性:

・东芝的首款[1]100V车用产品使用小型表面贴装SOP Advance(WF)封装

・通过AEC-Q101认证

・低导通电阻:

RDS(ON)=4.1mΩ(最大值)@VGS=10V(XPH4R10ANB)

RDS(ON)=6.3mΩ(最大值)@VGS=10V(XPH6R30ANB)

・采用可焊锡侧翼端子结构的SOP Advance(WF)封装

主要规格:

(除非另有说明,@Ta=25°C)

器件型号

XPH4R10ANB

XPH6R30ANB

极性

N沟道

绝对最大额定值

漏源极电压

VDSS

(V)

100

漏极电流

(DC)

ID

(A)

70

45

漏极电流

(脉冲)

IDP

(A)

210

135

沟道温度

Tch

(℃)

175

漏源极导通电阻

RDS(ON)最大值

(mΩ)

@VGS=6V

6.2

9.5

@VGS=10V

4.1

6.3

沟道至外壳热阻

Zth(ch-c)

最大值

@Tc=25℃

(℃/W)

0.88

1.13

封装

SOP Advance(WF)

产品系列

U-MOSVIII-H

U-MOSVIII-H

注释:

[1] 截至2019年12月25日

[2] 在同样规格的产品中,截至2019年12月25日。东芝调查。



 
 
 
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