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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“TLP5231”，这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和MOSFET的预驱动光耦，适用于工业逆变器和光伏（PV）的功率调节系统。这款全新的预驱动光耦内置多种功能[1]，其中包括通过监控集电极电压实现过流检测。产品于今日起开始出货。
TLP5231产品示意图
新型预驱动光耦使用外部P沟道和N沟道互补的MOSFET作为缓冲器，来控制中大电流IGBT和MOSFET。
目前现有产品[2]需要使用双极型晶体管构成的缓冲电路来实现电流放大，这会在工作中消耗基极电流。新产品能够使用外部互补MOSFET缓冲器，仅在缓冲器MOSFET的栅极充电或放电时消耗电流，有助于降低功耗。
通过改变外部互补MOSFET缓冲器的大小，TLP5231能够为各种IGBT和MOSFET提供所需的栅极电流。TLP5231、MOSFET缓冲器以及IGBT／MOSFET的配置可用作平台来满足系统的功率需求，从而简化设计。
其他功能包括：在检测到VCE(sat)过流后使用另一个外部N沟道MOSFET控制“栅极软关断时间”；另外，除了能通过监控集电极电压检测到VCE(sat)之外，还有UVLO[3]检测，将任意故障信号输出到一次侧。以上这些现有产品[2]不具备的新特性，能够让TLP5231帮助用户更轻松地设计栅极驱动电路。
应用：
• IGBT与功率MOSFET栅极驱动（预驱动）
• 交流电机和直流无刷电机控制
• 工业逆变器与不间断电源（UPS）
• 光伏（PV）电源调节系统
特性：
• 内置有源时序控制的双输出，适用于驱动P沟道和N沟道互补MOSFET缓冲器。
• 当检测到过流时，通过使用另一个外部N沟道MOSFET实现可配置栅极软关断时间。
• 当监控集电极电压检测到过流时或UVLO时，故障信号会输出到一次侧。
主要规格：
（除非另有说明，@Ta＝-40至110℃，典型值@Ta＝25℃）
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器件型号
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TLP5231
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绝对最大额定值
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峰值高电平输出电流IOPH（A）
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-2.5
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峰值低电平输出电流IOPL（A）
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+2.5
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电气特性
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VOUTP高电平输出电流IOUTPH最大值（A）
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-1.0
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VOUTP低电平输出电流IOUTPL最小值（A）
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1.0
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VOUTN高电平输出电流IOUTNH最大值（A）
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-1.0
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VOUTN低电平输出电流IOUTNL最小值（A）
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1.0
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高电平供电电流（VCC2）ICC2H最大值（mA）
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10.2
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低电平供电电流（VCC2）ICC2L最大值（mA）
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10.2
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高电平供电电流（VEE）IEEH最小值（mA）
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-9.2
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低电平供电电流（VEE）IEEL最小值（mA）
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-9.2
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阈值输入电流（H／L）IFHL最大值（mA）
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3.5
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建议工作条件
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总输出供电电压（VCC2-VEE）（V）
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21.5至30
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负输出供电电压（VE-VEE）（V）
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6.5至15
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正输出供电电压（VCC2-VE）（V）
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15至23.5
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开关特性
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传播延迟时间（L／H）tpLH（ns）
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100至300
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传播延迟时间（H／L）tpHL（ns）
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100至300
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传播延迟偏差（器件到器件）tpsk（ns）
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-200至200
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高电平共模瞬态抑制
CMH最小值（kV/μs）
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±25
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高电平共模瞬态抑制
CML最小值（kV/μs）
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±25
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功能
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保护功能
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IGBT VCE(sat)检测、
欠压锁定（UVLO）[4]
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反馈（故障）：在检测到VCE(sat)或UVLO（集电极开路输出）时激活
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隔离特性
（@Ta＝25℃）
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隔离电压BVS最小值（Vrms）
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5000
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机械参数
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最小电气间隙（mm）
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8.0
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最小爬电距离（mm）
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8.0
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内部最小隔离厚度（mm）
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0.4
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库存查询与购买
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在线购买
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注释：
[1] 栅极信号软关断、故障反馈功能
[2] TLP5214、TLP5214A
[3] UVLO：欠压锁定
[4] 常见VE
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