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在追求高效能、小体积的电机驱动应用领域，传统硅基(Si) 功率器件已逐渐触及性能天花板。全球领先的氮化镓功率半导体厂商英诺赛科
(Innoscience)，推出了两款高性能低压电机驱动方案：INNDMD48V25A1 (分立方案) 和 INNDMD48V22A1 (集成方案)
，为机器人、无人机、电动工具等低压电机应用带来革命性突破。
 
方案简介
最新发布的两款方案均采用48V–60V输入，支持持续输出相电流峰值达25A/22A，完美适配1kW级别的电机驱动需求。
INNDMD48V25A1 (分立方案)：采用
6颗INN100EA035A分立器件+3颗INS2003FQ专用驱动IC，更好地发挥了分立方案灵活性。
INNDMD48V22A1 (集成方案)：采用3颗ISG3204LA半桥合封GaN（内置驱动），集成度高，布局更简洁。
• 损耗大幅降低，能效显著提升
在40kHz开关频率、20A相电流条件下：
分立方案 (INN100EA035A)
总损耗为11.6W，对标的Si方案为19W，降幅达39%；
图表1：分立方案vs Si方案损耗对比
合封方案 (ISG3204LA)
总损耗为12.3W，对标的Si方案为16.3W，降幅达24.5%。
图表2：集成方案vs Si方案损耗对比
• 高频性能优异，助力小型化设计
GaN器件开关速度快，死区时间可缩短至100ns。当开关频率从20kHz提升至40kHz：
INS2003FQ+INN100EA035A分立器件方案中的GaN系统损耗仅增加0.7W，而Si方案增加了4.1W，GaN损耗增量降低83%；频率提升带来的温升仅10℃，为系统继续提升频率、缩小电感与电容体积预留了空间。
图表3：GaN vs Si温升对比
• 温度表现卓越，系统更可靠
在相同散热条件下，GaN器件温度比Si方案低23℃以上；在18A以下相电流时，合封GaN方案可无需散热器，极大减小系统体积。
• 电流输出能力更强，功率密度更高
分立GaN方案最大输出电流有效值比Si方案提升3.5A；在相同温升条件下，可支持更高负载电流，轻松实现更高功率密度。
• 机器人关节驱动• 无人机电调系统• 磁悬浮传输产线• 低压伺服一体机• 园林工具/电动两轮车控制器
INNDMD48V25A1 (分立方案) 在优化布局上提供了参考，能够大幅降低寄生参数影响；INNDMD48V22A1 (合封方案)
则利用了合封GaN器件的驱动回路内置优势，使布局更简洁，PCB面积更小，开发周期更短。
此次英诺赛科发布的低压电机驱动方案，通过“高效率、低温升、高频率、小体积”的优势，为下一代高性能电机系统提供了强大动力内核。无论是追求极致性能的分立方案，还是倾向集成简便的合封方案，都能帮助客户轻松实现产品升级与差异化竞争。
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