意法半导体新推出两款高速半桥栅极驱动器，为各类功率转换和运动控制应用带来氮化镓 (GaN)技术的高能效、高散热性能和小型化优势。

STDRIVEG212和STDRIVEG612输出经过精准调控的5V栅极驱动信号，适合驱动高边工作电压高达220V和600V的增强型高电子迁移率氮化镓晶体管(GaN HEMT)。这两款栅极驱动器具有很高的集成度，在一个紧凑型QFN封装内集成高低边5V线性稳压器(LDO)、高边自举二极管，以及包含欠压锁定(UVLO)在内的保护电路。

驱动器片上集成一个快速启动的稳压器，为驱动器输出级提供稳定的电压，确保栅极控制性能稳定一致；在检测到过流时，内置比较器会同时关断两个GaN器件。智能关断(SmartSD)功能会自动长时间关断GaN器件，便于其及时散热降温，同时，过流、过热及欠压锁定等信息可通过故障引脚报告。

这款驱动器旨在发挥GaN技术的全部优势，尤其适用于运动控制等硬开关应用场景。传输延迟仅为 50ns，可更精准匹配的匹配高低上下桥臂开关，高边启动时间 5µs，dV/dt 瞬变抗扰度为±200V/ns，支持电机高速运转。

芯片内部集成的LDO稳压器具备大电流驱动能力，并提供独立的灌电流与拉电流通道，灌电流能力高达 1.8A/1.2Ω，拉电流能力为0.8A/4.0Ω。栅极驱动器的输出架构允许设计人员设置不同的开通阻抗与关断阻抗，以优化dV/dt和dI/dt，且节省了关断二极管。这些特性可以降低物料清单成本，减小栅极回路寄生电感，加快功率管的关断速度，同时提升安全裕量，避免因干扰引发误导通。

STDRIVEG212与STDRIVEG612支持20V逻辑输入，并配有一个可在非工作期间节省电能的专用关断引脚，这些配置有助于简化系统设计。EVLSTDRIVEG212评估板现已上市，两款芯片都可以用这块板子评估。

STDRIVEG212 和 STDRIVEG612均为工业级产品，工作温度范围 -40°C 至 125°C。两款产品均已量产，采用 4mm × 5mm QFN 封装。