集邦咨询 2 日下午发布的最新研究指出，自 2025 年下半年以来，一般型 DRAM（Conventional DRAM）价格大涨，反映供不应求形势之际，三大原厂的 HBM 年度议价机制，导致 HBM 合约价无法及时反映市场的季度涨价趋势。

随着时序进入今年 Q2，买卖双方正在对 2027 年的主流产品 HBM4 供应进行谈判。集邦咨询认为，基于 DRAM 供不应求市况、新旧世代 HBM 的高制造难度及高成本，三大原厂将于 2027 年大幅调高 HBM 的报价。

根据该机构追踪 HBM 及 Conventional DRAM 的单片晶圆产值（注：依晶粒尺寸、良率及每 Gb 价格估计），HBM 单片晶圆产值已于今年 Q1 被 DDR5 64GB RDIMM 反超，而 HBM 的利润率亦因此于今年 Q1 起低于 DDR5 64GB RDIMM。

从需求动能来看，在 AI 基础设施加速建设带动下，HBM 需求于 2026 至 2027 年持续旺盛，不过两年动能略有差异。2026 年 HBM 需求动能主要来自 AI ASICs 对容量的升级，将 AI 芯片所配置的 HBM 容量由 96/192GB 大举拉升至 216/288GB；而英伟达 Rubin 平台单颗 GPU 的 HBM 容量虽持平于前代，仍借由出货量成长同步推升整体需求。2027 年英伟达的 Rubin Ultra 平台将进一步推升单颗 GPU 的 HBM 容量至 384GB，谷歌 TPU 等 AI ASICs 则因颗数成长，也将放大对 HBM 位元需求。

该机构预估，三大原厂 2025-2027 年 HBM 投片量估计占整体 DRAM 投片量的 18%、22% 及约 30%（以每年年底投片量计算），而 HBM 位元供给则将占整体 DRAM 位元供给的 8%、9% 及约 13%。