昨日，杭州镓仁半导体全球首条兼容 6/8 英寸氧化镓同质外延量产线正式全面投产，首批标准化 6 英寸（100）面氧化镓同质外延晶圆同步交付国内头部晶圆厂开展器件试样验证，标志我国第四代超宽禁带半导体材料实现规模化量产重大突破。

在此之前，全球氧化镓产业长期受限于 2-4 英寸小尺寸产能瓶颈，海外厂商无法实现 6 英寸及以上同质外延商业化供货，小尺寸晶圆单批芯片产出少、制造成本居高不下，难以适配新能源、特高压等领域大批量工业化制造需求。本次投产产线依托企业自研铸造法单晶长晶技术与定制化 MOCVD 外延工艺，打通单晶生长、衬底加工、同质外延全流程量产链路，成为全球唯一具备 6 英寸氧化镓同质外延稳定供货能力的产线，8 英寸工艺已同步完成技术验证并预留扩产空间，技术水平领先海外同类方案至少三年。

工艺数据显示，该产线产出外延片厚度超 10μm，膜厚均匀性方差低于 1%，晶体缺陷密度大幅优化，同质外延晶格完美匹配衬底，可充分释放氧化镓超高耐压、低导通损耗的材料优势。同时自研长晶工艺大幅减少贵金属铱消耗，衬底单片成本降幅超 80%，超薄衬底加工技术将晶体出片量提升至传统工艺 3-4 倍，从材料端大幅降低下游器件厂商研发与量产门槛。

8 英寸为当前全球芯片制造主流标准尺寸，这条兼容产线可直接复用国内现有成熟晶圆制造设备，无需新建专属产线，大幅缩短氧化镓器件产业化周期。氧化镓作为第四代半导体核心材料，巴利加优值是碳化硅的 10 倍、氮化镓的 4 倍，适配 800V 车载快充、光伏储能、高压电网、日盲紫外探测等高端场景。

本次产线投产与晶圆交付，正式推动氧化镓从实验室研发迈入商业化批量供货阶段，稳固我国在第四代半导体上游材料赛道的全球领跑地位，为国内功率器件企业提供自主可控大尺寸氧化镓外延基材，加速高压功率芯片国产替代进程。