ISG6127ATP-Q是英诺赛科自主研发，专为下一代高频化、高功率密度、小型化的车载电源转换场景量身打造的车规级合封氮化镓芯片，采用 TOLT-16L 封装，已通过AEC-Q100完整汽车级认证。

产品性能

高集成度：单芯片集成 650V/27mΩ 增强型 GaN FET和预驱IC，精简外围驱动电路；

宽输入电压范围：内置基于精确 LDO 的栅极钳位电路，支持 10V 至 24V 的宽栅极输入电压范围；

出色的dv/dt抗干扰能力：内置集成Miller Clamp功能（导通阻抗典型值仅 0.5Ω），能有效抵抗因高 dv/dt 漏极电压斜率引起的栅极误导通；具备高达 100V/ns 的 dv/dt 抗干扰能力，在高频高压应用下极为稳定；

开关边沿（Slew Rate ）可调：支持用户通过外部栅极电阻独立调节 GaN FET 的开通和关断斜率，以便在系统效率、可靠性与 EMI 性能之间达到完美平衡；

优异的电气与热特性：零反向恢复电荷（QRR = 0），显著降低开关损耗；支持高达 2MHz 的高频运行。具备优异的散热设计，顶部热阻仅为 0.30°C/W。

规模化落地加速，赋能产业升级

凭借全方位的性能优势与车规级可靠性，ISG6127ATP-Q已成功打入国内新能源汽车核心供应链，与多家行业顶尖的Tier 1系统集成商深度合作，实现规模化量产装车。