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三星计划2030年底前关闭8英寸晶圆代工所有产线
文章来源:永阜康科技 更新时间:2026/11/3 10:13:00

据《科创板日报》报道,三星电子已决定全面退出 8 英寸晶圆代工业务,公司近期已通知客户,计划在 2030 年底前关闭所有相关生产线。

注意到,此前,三星电子一直仅表示将逐步缩减 8 英寸生产线,此次则是首次明确提出业务退出的具体时间表,之后公司计划将人力和设备投资集中于基于 12 英寸晶圆先进制程。长期委托三星电子进行芯片生产的韩国本土无晶圆厂(Fabless)企业,如今正面临紧急寻找替代生产厂商的压力。

三星电子运营的 8 英寸代工厂由 65 纳米、70 纳米、90 纳米、130 纳米和 180 纳米等旧工艺组成,生产显示驱动芯片(DDI)、电源管理半导体(PMIC)、微控制器(MCU)和图像传感器等各种系统半导体。从 2000 年量产 180 纳米工艺开始,三星电子于 2002 年推出 130 纳米工艺,2006 年推出 90 纳米工艺,2011 年推出 70 纳米工艺。

출처 : 디일렉(THE ELEC)(https://www.thelec.kr)

延伸阅读

8 英寸晶圆指直径为 200 毫米的硅晶片,其制程主要集中在 90 纳米及以上节点,属于成熟制程范畴。这类产线主要生产电源管理芯片(PMIC)、显示驱动 IC(DDIC)、CMOS 图像传感器、微控制器(MCU)、功率器件、射频芯片、指纹识别芯片等产品,下游覆盖物联网、汽车电子、工业控制、消费电子等领域。

三星的 8 英寸对外代工产能全部集中在韩国器兴园区,原共有 S6、S7、S8 三条 8 英寸产线。其中 S7 月产能约 5 万片,此前已规划于 2026 年下半年关停,其订单向 S6 与 S8 转移;器兴 S6 覆盖 0.13 微米至 0.35 微米工艺,支持 BCD 工艺、功率器件与图像传感器制造,S8 工艺区间落在 0.18 微米至 0.5 微米,擅长光电传感器、高压模拟电路与分立器件生产。

在明确退出时间表之前,三星的 8 英寸业务已持续收缩。2026 年初三星宣布加快代工产线结构调整,推进 S7 关停,届时其 8 英寸晶圆月产能将从约 25 万片降至 20 万片以下,整体 8 英寸产线开工率约为 70%。随着 CMOS 图像传感器、显示驱动芯片等核心产品逐步向 12 英寸产线迁移,8 英寸产线面临订单流失、维护成本高企与客户基础有限等压力。

长期委托三星代工的韩国本土无晶圆厂(Fabless)企业,正面临寻找替代产能的压力。韩国本土的 8 英寸纯晶圆代工厂 DB HiTek(东部高科)被视为潜在替代选项之一,该公司产能此前一度完全饱和、订单积压明显。此外 DB HiTek 已于 2025 年 12 月启动碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)工艺的多项目晶圆流片,并计划 2027 年启动规模化量产,同时扩建忠清北道上隅园区无尘室,月产能将从 15.4 万片提升至 19 万片 8 英寸晶圆。

三星并非唯一削减 8 英寸产能的厂商。台积电自 2023 年起已着手削减相关产能,部分工厂计划陆续退出市场。TrendForce 数据显示,2026 年全球 8 英寸晶圆厂总产能预计同比下降 2.4%。

值得注意的是,产能收缩的同时需求依然强劲。在 AI 服务器需求带动下,电源管理 IC、模拟芯片、功率器件等成熟制程产品需求增长,TrendForce 预测 2026 年全球 8 英寸晶圆厂平均开工率将攀升至 85% 至 90%,部分代工厂计划将代工价格上调 5% 至 20%。2026 年第三季全球成熟制程晶圆代工产能利用率冲上 91%,业界预估次年首季 8 英寸与 12 英寸成熟制程代工价格将季增 4% 至 8%。

三星退出 8 英寸代工后,计划将人力与设备投资集中于 12 英寸晶圆先进制程。其先进 12 英寸产线主要布置于华城和平泽,覆盖 7nm、4nm、3nm 以及正在爬坡的 2nm GAA 工艺。据分析机构测算,三星非存储事业年度营业亏损将从 2025 年的 6.74 万亿韩元(注:现汇率约合 335.79 亿元人民币)降至 2026 年的约 3.92 万亿韩元(现汇率约合 195.29 亿元人民币),HBM4 带动 8nm 及以下先进制程稼动率提升,是其代工业务改善的重要原因之一。



 
 
 
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