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安森美半导体推出最小的65 W USB-PD适配器方案,使用行业标准的超结FETs
文章来源:永阜康科技 更新时间:2018/3/9 12:57:00

先进的控制器和驱动器提供高能效的USB-PD电源适配器和电池充电器方案

推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON) 推出全新世界级的高密度电源适配器方案,用于需要兼容USB供电(USB PD)或高通Quick Charge™规格的笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备。这一包含多项正待批专利的方案,包括有源钳位反激(ACF)控制器NCP1568和一个相应的高速半桥驱动器NCP51530。该方案是一个65 W 符合USB-PD的适配器,具有30 W/in^3的功率密度,以94.5%的峰值能效工作。

NCP1568是一款高度集成的AC-DC脉宽调制(PWM)控制器,采用ACF拓扑结构,包含零电压开关(ZVS),用于要求高功率密度和高能效的高频应用(高达1 MHz)。此外,NCP1568控制器可以应用经验证的超结(SJ)FET或高性能氮化镓(GaN)FET的ACF拓扑结构。


通过包含高压启动,一个基于NCP1568的方案只需少量外部元件,降低待机能耗。此外,工作的高频率使无源元件尺寸得以缩减,大幅提高功率密度。它能够无缝过渡到非连续导电模式(DCM),进一步提高轻载条件下的能效,使待机功率水平低于30毫瓦(mW)。这也使电源设计人员能通过全球能效监管标准。自适应ZVS频率调制提供可变输出电压,优化USB-PD和快速充电的实施。

NCP1568采用小型TSSOP-16封装,具有多重保护功能。静音跳跃功能消除工作时的可闻噪声,这是室内电源适配器应用的一个基本需求。

NCP51530A/B是700伏(V)高频率、高端与低端驱动器,可直接驱动高性能电源应用中的两个N沟道功率MOSFET。其特点是快速的动态响应,30纳秒(ns)的传播延迟对于高频工作是理想的,而5 ns的传播延迟匹配确保领先市场的能效性能。

这器件提供非常强固的方案,具有高dv/dt免疫性(高达50 V/ns)和负瞬态免疫性。它采用SOIC-8或DFN-10封装,后者提供了改进的爬电距离和一个裸露焊盘。另有一个采用SO-8封装、通过AEC-Q100认证的版本,适用于高要求的汽车应用。

安森美半导体AC-DC业务部市场与应用总监Ryan Zahn表示:“这方案代表现代电源适配器和电池充电器设计的重大进步。NCP1568 ACF控制器具备先进的功能和灵活的操作,提供卓越的能效;同时使用了SJ FET,且只需少量外部元件,实现USB PD的高密度设计。 NCP51530驱动器是一款高速、高性能、强固的电源方案,亦包括针对汽车应用的AEC Q-100认证选择。”

安森美半导体现提供NCP1568和NCP51530样品,并将于2018年第二季度全面量产。

安森美半导体于3月4日至8日在美国德克萨斯州圣安东尼奥市举行的APEC 2018#601展台展示NCP1568和NCP51530。



 
 
 
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